《表4 ICP刻蚀的实验参数》
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文献[22]中微结构刻蚀转移过程中，由于尖端累积效应的存在，导致转移至薄膜中的结构尖端产生一定的变形，变为圆弧形貌.SF6作为ICP刻蚀去除的主要气体，在刻蚀进行中通入少量的C4F8气体.C4F8气体通常作为刻蚀的钝化气体，对侧壁形成保护，以缓解微结构图形转移过程中的底切效应.ICP刻蚀参数如表4.
| 图表编号 | XD0063372000 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.07.01 |
| 作者 | 葛少博、刘卫国、周顺、杨鹏飞、李世杰、黄岳田、孙雪平、林大斌、张进 |
| 绘制单位 | 西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、中国科学院光电技术研究所、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室 |
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