《表1 优化后的多晶硅刻蚀程序主要部分参数》

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《降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性》

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从刻蚀程序的气体压力、气体配比、射频功率、磁场大小等方面进行了工艺优化，多晶硅刻蚀主要用到Cl2、HBr和O2，其中Cl2的各向同性强，易形成钻蚀，HBr和O2在刻蚀过程中会与光刻胶反应生成聚合物沉积在多晶硅条侧壁形成侧壁保护。Cl2越多、钻蚀越严重，HBr和O2越多，侧壁保护越强。但聚合物增多会阻挡多晶硅刻蚀台阶处的刻蚀速率。为了解决钻蚀问题，对气体配比进行调整，同时对气体压力和射频功率进行优化，在实验过程中发现气体压力越高，钻蚀越严重[3-5]。经过各项工艺参数的调整，最终得到了无横向钻蚀、侧壁形貌陡直的工艺菜单，表1列出了菜单的部分主要参数。