《表1 仿真中单晶硅与非晶硅的主要参数》

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《n型异质结背接触太阳电池前表面的场钝化》

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在软件中输入非晶硅的关键参数，如禁带宽度、掺杂浓度和厚度。为了使仿真结果更为精确，指数带尾态的能量分布和中间隙缺陷态的高斯分布等重要参数参考文献[20]，具体的单晶硅和非晶硅的主要参数如表1所示。仿真中的入射光选用AM1.5标准太阳光谱，垂直照射电池表面，光强为1 000 W/m2。