《表2 掺磷多晶硅退火条件与电参数的关系》

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《超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发》

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退火温度到1000℃时，T1雪崩二极管的正向压降和反向击穿电压已经趋于稳定，正向压降已经接近单晶硅PN结的典型正向值，反向电压已经满足器件5V下应用的需求，进一步提高温度至1100℃，反向漏电已经低到10n A以下，效果较好。