《表2 N+退火时间与Vbias参数之间的对应关系》

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《5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计》

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为了研究N+退火工艺对击穿电压的敏感度，分别基于注入剂量为2×1015ion/cm2和1×1016ion/cm2两个条件，对退火的时间进行了拉偏试验，分别在1200℃、60 min退火工艺条件的基础上，把退火时间减少至30 min，不同条件的退火试验片测试结果如表2所示，随着退火时间的减少，正、反向击穿电压均降低，正向的击穿电压已经降低至6.1 V，临界规范下限6 V，而Vbias参数基本保持不变。