《表1 N+注入剂量与bias参数之间的对应关系》

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《5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计》

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影响器件击穿电压的关键是N+注入和退火工艺。为了获得N+注入条件对器件击穿电压Vbias的影响，对N+注入的剂量进行了拉偏试验，N+退火条件设置为1200℃、60 min。N+注入剂量分别选用2×1015ion/cm2、5×1015ion/cm2、1×1016ion/cm2、2×1016ion/cm2共4个注入条件，出片测试结果如表1所示，随着注入浓度的增加，正、反向击穿电压同时降低，而Vbias基本保持在1.3 V，当N+注入剂量小于2×1015ion/cm2时，反向击穿电压已经接近规范上限8 V，而当N+注入剂量大于1×1016ion/cm2时，继续提高注入剂量，正、反向击穿电压值维持不变。