《表3 模型边界条件：基于数值模拟电子级多晶硅还原炉流动结构改进研究》

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《基于数值模拟电子级多晶硅还原炉流动结构改进研究》

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硅棒直径生长到90 mm时对应硅棒沉积过程的中后期，对考察炉内流场、温场结构具有重要意义。实验对该直径下原有设计及优化设计还原炉分别进行建模。边界条件参数包括该生长时刻下Si HCl3（TCS）、H2进料量、硅芯加热电流、硅棒发射率、炉壁温度和操作压力等，具体参数见表3。