《表1 样本工艺条件：氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响》

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《氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响》

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采用PVD磁控溅射方法在衬底上分别生长金属电极和阻挡层、不同厚度的非晶硅薄膜以及下金属淀积和阻挡层，形成非晶薄膜电容结构，然后通过光刻、腐蚀等工序，完成非晶薄膜电容结构的制备。非晶薄膜的掺杂在上电极沉积前完成，采用氩携带气体的方式对非晶薄膜进行原位掺杂，样本工艺条件如表1所示。