《表2 氟掺杂非晶硅薄膜击穿电压和漏电特性》

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《氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响》

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不同掺氟占比的非晶薄膜的漏电和击穿电压如表2所示。可以看出，随着氟掺杂占比增加，非晶硅薄膜漏电流呈减小趋势，掺氟非晶硅的漏电流（Ileak）降低了2个数量级，但掺氟非晶硅薄膜的击穿电压（BV）升高后趋于稳定。