《表3 氟掺杂非晶硅薄膜电容特性》

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《氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响》

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采用1 MHz频率测试薄膜的膜电容特性，不同掺氟浓度的非晶薄膜的电容特性如表3所示。可以看出，随着掺杂浓度的增大，非晶硅薄膜的电容呈减小趋势，根据电容和介电常数的关系Cox=（ε0εSi）/tox，可以看出掺氟非晶薄膜介电常数εSi也是逐步减小的，说明材料极化特性减弱，这是由于氟掺杂的非晶薄膜内部悬挂键被F钝化导致。