《表2 不同退火工艺条件》
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《热处理对磁控溅射法制备p-ITO(40 nm)薄膜特性的影响》
采用KOYO CCBS-2-1480型退火设备对样品进行退火处理，各样品退火条件如表2所示。
| 图表编号 | XD0080523800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.04.01 |
| 作者 | 王效坤、朴祥秀、孟雷、房伟华、刘飞 |
| 绘制单位 | 合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
