《表1 抛光参数：雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究》

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《雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究》

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本次试验中pH值、H2O2含量（wt%）、抛光压力（psi）和抛光盘转速（r/min）为变量，其中:pH值变化范围为9～11；H2O2含量变化范围为1%～5%；抛光压力的变化范围为5～9 psi；转速变化范围为40～80 r/min，其他参数不变，其他参数如表1所示。本实验环境为超净实验室，温度为25℃。