《表3 工艺参数抛光实验表》

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《紫外光催化辅助SiC抛光过程中化学反应速率的影响》

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抛光实验在LGP-15S型化学机械抛光机上进行，抛光液组分和抛光工艺参数分别见表1、表3。使用稀盐酸和氢氧化钠调节溶液的pH，采用ST3100/F型pH计检测溶液的pH值，通过紫外光发生器和辐照计调节光照强度。抛光试样为直径50.8 mm的6H-SiC（0001）的C面，抛光前先在铜质研磨盘上用W3金刚石磨料研磨15 min，去除切割片表面的切割痕迹，并进行表面平坦化，研磨后的表面形貌如图3所示，表面划痕深度为400～600 nm，表面粗糙度Ra为7 nm左右。抛光后的SiC晶片分别在酒精、去离子水中超声清洗，烘干后，用Taylor-Hobson白光干涉仪检测其粗糙度，在晶片上取13个点进行测量（选取位置如图4所示），计算平均表面粗糙度作为衡量指标。