《表1 抛光工艺参数Tab.1 Experimental parameters of polishing》
实验条件如表1所示,由于微结构工件表面不是平面,工件表面上各点到工具头端面的距离不相同,实验对刀时以工具头刚好接触到工件表面的位置为基准点,故除实验Ⅳ外,其余实验中的加工间隙Δ均指工具头端面微结构轮廓最高点的距离.每次实验的抛光体取量相同,各实验只改变当组实验要研究的工艺参数,其余参数保持不变.其中,实验Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ为不同工艺参数下对包体状微结构的抛光效果研究,实验Ⅱ和Ⅳ为两种抛光路径对包体状微结构的抛光效果研究.由于采用MCF抛光时,若微结构轮廓上各点到工具头表面距离不相等,则所受到的压力也不相等,致使抛光后轮廓上各点的材料去除效率差别较大.若采用抛光工具头端面始终与微结构轮廓相切且保持一定距离的抛光路径,可以使工件轮廓上各点受到的压力相同,但由于实验条件限制,本实验工具头只能上下移动,故采用等高线移动抛光方式,即工具头移动时保持抛光工具头端面中心点到微结构轮廓的间隙不变(即表1中实验Ⅳ的Δ表示工具头端面中心到微结构轮廓的间隙),如图3所示;实验Ⅱ、Ⅴ、Ⅵ研究了不同微结构的保形抛光,采用相同的工艺参数分别对3种微结构进行抛光实验.
图表编号 | XD0044618500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.28 |
作者 | 林龙侨、王振忠、陈世平 |
绘制单位 | 厦门大学航空航天学院、厦门大学航空航天学院、厦门大学航空航天学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |