《表2 磁流变抛光工艺参数Tab.2 Process parameters of the magnetorheological polishing》

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《磨料特性对InP晶片集群磁流变抛光效果的影响》

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In P晶片为广东天鼎思科新材料有限公司生产，形状为10 mm×10 mm正方形。为进行抛光实验，预先通过研磨工艺使InP表面粗糙度达到约33 nm，表面形貌如图2所示。磁流变抛光液由去离子水、分散剂、铁粉及磨料组成，抛光实验时磁流变液组分如表1所示，表中wa为磨料的质量分数，d为磨料粒径。抛光实验工艺条件如表2所示。利用Mitutoyo（日本三丰）千分表测量抛光前后InP晶片的厚度，通过厚度差计算材料去除速率，使用Contour GT-X3白光干涉仪测量和观察加工前后晶片表面粗糙度及表面形貌。