《表3 不同磨料类型对加工效果的影响Tab.3 Influences of different types of abrasive on the polishing effect》

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《磨料特性对InP晶片集群磁流变抛光效果的影响》

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磨料的硬度会影响磨料对工件表面的压入深度，进而影响加工过程中的材料去除速率。从表4可知，金刚石、SiC、Al2O3、SiO2磨料硬度依次降低，因此它们的材料去除速率依次降低。表4中ρa为磨料密度。硬度高的磨料更容易压入抛光片表面，压入深度较大，材料去除能力较高，但同时更容易造成晶片表面划伤等机械损伤，因此采用金刚石磨料，晶片表面存在较深划痕。硬度最低的SiO2磨粒对晶片表面的材料去除能力弱，不能完全地去除晶片表面的损伤层，导致加工表面残留较深的划痕及凹坑，表面粗糙度最高。Al2O3硬度略低于Si C，但表面质量却比SiC的差，主要原因是Al2O3密度最高（表4），抛光过程中受离心力及重力较大，更容易摆脱磁链串束缚而逃逸抛光区，对工件表面产生滚压和微切削双重材料去除作用，切深不稳定、运动过程不平稳，造成晶片表面质量较差。这说明，不仅磨料硬度会影响材料去除性能，磨料密度对磨料运动状态的稳定性也有影响，进而影响材料去除效果。为了保证晶片表面更好的加工质量，确定SiC磨料作为抛光时的优选磨料。