《表1 天线结构设计方案Tab.1 Design scheme of the antenna structure》

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《大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应》

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测试样品后段连线采用3层金属结构，第一金属层采用单大马士革工艺，第二金属层和第三金属层采用双大马士革工艺。金属层形成后，利用PECVD技术沉积SiN作为Cu扩散阻挡层，扩散阻挡层上方沉积掺氟二氧化硅（FSG）作为层间介质层。为研究影响大马士革工艺中等离子体损伤的关键参数和工艺因素，确定了表1中天线结构设计方案，RA为天线比，X为产品版图设计规则中的标准化天线比。