《表4 金属层间电介质层PECVD工艺参数Tab.4 PECVD process parameters of the inter-metal dielectrics》
结果表明介质层材料的改变有效减小了器件损伤,说明PECVD工艺是造成等离子体损伤的关键环节。表4列出了两种介质层沉积的主要工艺差异。由光导通理论可知,反应气体种类是影响介质层导通率的重要因素[14]。FSG沉积过程中,N2激发的光子易造成辐射损伤[15],TEOS沉积中,He激发的光子具有较短的渗透距离,可导通的介质层厚度小于FSG介质,因此,TEOS相关工艺造成的等离子体损伤较小;另一方面,反应腔压强也是影响因素之一,TEOS沉积过程中反应腔体内压强的增大,能够降低离子轰击效应,在一定程度上能够减小等离子体损伤。表4中,P0表示FSG沉积中的腔体压强,TEOS沉积过程中腔体压强为4P0,因此,TEOS沉积造成的损伤程度较小。
图表编号 | XD0028229300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.03 |
作者 | 赵悦、杨盛玮、韩坤、刘丰满、曹立强 |
绘制单位 | 中国科学院大学微电子学院、中国科学院微电子研究所、长江存储科技责任有限公司、长江存储科技责任有限公司、长江存储科技责任有限公司、中国科学院大学微电子学院、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学微电子学院、中国科学院微电子研究所 |
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