《表5 第三金属层天线连接器件可靠性特性Tab.5 Reliability characteristics of the devices with M3antenna》

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《大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应》

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图9给出了TEOS沉积条件下，连接第三金属层不同天线结构（RA=10X）的PMOS器件可靠性水平。图9（a）为Ig，shift累积分布图，图9（b）和（c）为tbd的威布尔分布图，表5为TDDB测试中器件可靠性信息，测试条件与2.3.1节中条件相同。可以看出:连接第三金属层的3种天线结构的PMOS器件没有明显的Ig，shift差异；疏齿状天线条件下，tbd的威布尔分布斜率最小且tbd（0.1%）最小，说明间距增大，器件受到的损伤更严重，满足天线扩散效应。