《表3 不同层间介质层材料的天线连接器件可靠性信息Tab.3 Device reliability information for different antenna inter-metal diel

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《大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应》

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结果表明介质层材料的改变有效减小了器件损伤，说明PECVD工艺是造成等离子体损伤的关键环节。表4列出了两种介质层沉积的主要工艺差异。由光导通理论可知，反应气体种类是影响介质层导通率的重要因素[14]。FSG沉积过程中，N2激发的光子易造成辐射损伤[15]，TEOS沉积中，He激发的光子具有较短的渗透距离，可导通的介质层厚度小于FSG介质，因此，TEOS相关工艺造成的等离子体损伤较小；另一方面，反应腔压强也是影响因素之一，TEOS沉积过程中反应腔体内压强的增大，能够降低离子轰击效应，在一定程度上能够减小等离子体损伤。表4中，P0表示FSG沉积中的腔体压强，TEOS沉积过程中腔体压强为4P0，因此，TEOS沉积造成的损伤程度较小。