《表2 不同天线比的Ig, shift均值Tab.2 Average Ig, shiftof the devices with different antenna ratios》
图3为Ig,shift随RA的变化趋势,当RA较小时,Ig,shift对RA的变化不敏感;当RA>10X时,Ig,shift随RA的增大而显著增大。上述结果说明,大马士革工艺中天线效应强度与天线上表面面积呈指数关系,当天线面积增大到一定程度时,天线效应才会对器件造成明显的性能损伤。
图表编号 | XD0028229500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.03 |
作者 | 赵悦、杨盛玮、韩坤、刘丰满、曹立强 |
绘制单位 | 中国科学院大学微电子学院、中国科学院微电子研究所、长江存储科技责任有限公司、长江存储科技责任有限公司、长江存储科技责任有限公司、中国科学院大学微电子学院、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学微电子学院、中国科学院微电子研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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