《表2 不同天线比的Ig, shift均值Tab.2 Average Ig, shiftof the devices with different antenna ratios》

《表2 不同天线比的Ig, shift均值Tab.2 Average Ig, shiftof the devices with different antenna ratios》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应》


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图3为Ig,shift随RA的变化趋势,当RA较小时,Ig,shift对RA的变化不敏感;当RA>10X时,Ig,shift随RA的增大而显著增大。上述结果说明,大马士革工艺中天线效应强度与天线上表面面积呈指数关系,当天线面积增大到一定程度时,天线效应才会对器件造成明显的性能损伤。