《表2 不同栅长和结构器件的fmax Tab.2 fmaxof devices with different gate lengths and structures》

《表2 不同栅长和结构器件的fmax Tab.2 fmaxof devices with different gate lengths and structures》   提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《AlGaN/GaN HEMT凹栅槽结构器件的频率特性》


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表1和表2分别为常规结构器件和凹栅槽结构器件在Vds=20 V时，不同栅长下的器件频率特性。

图表编号XD00188430000    严禁用于非法目的
绘制时间2018.06.03
作者肖洋、张一川、张昇、郑英奎、雷天民、魏珂
绘制单位西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院、中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院、中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院、中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
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