《表2 基于TCAD仿真的3D Fin FET器件Rsp提取Tab.2 Extracted Rspfor 3D Fin FET devices based on TCAD simulation》
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《14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模》
通过对表2所示结构进行TCAD仿真，线性拟合可得s≈2.9。代入本文所用器件结构，可得Rsp=367Ω，与TCAD仿真所得364Ω，相对误差小于1%。
| 图表编号 | XD00188418600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.02.03 |
| 作者 | 陈寿面、石艳玲 |
| 绘制单位 | 上海集成电路研发中心有限公司、华东师范大学信息科学技术学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
