《表1 APD器件参数：基于silvaco-TCAD的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器的仿真》

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《基于silvaco-TCAD的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器的仿真》

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silvaco-TCAD是一个以物理为基础能对不同半导体特性的设计和仿真框架的计算机辅助系统.本文通过Atlas软件中定义结构参数来构建整个器件结构模型，选取SRH、Auger等复合模型、与杂质浓度有关的CONMOB迁移率模型、局域impact selb模型等主要的物理模型.使用silvaco TCAD对SAGCM结构的In0.53Ga0.47As APD探测器进行二维（2D）数值模拟，研究探测器的内部结构参数的改变对器件主要特征参数的影响，包括内部电场、贯穿电压、响应度等等.表1是APD器件结构参数的典型取值.