《表1 其它的模型参数：硅单晶圆片中V-O_2对演变的相场仿真模型》
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式中:kb=8.617 343×10-5 eV·K-1；T为低温退火温度（K）.其它的模型参数见表1.
| 图表编号 | XD00104671100 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.09.30 |
| 作者 | 关小军、关宇昕、王善文 |
| 绘制单位 | 山东大学材料科学与工程学院、奥派咨询有限责任公司高科技园区、山东大学材料科学与工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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