《表1 基于Mo S2FET器件双向扫描转移特性曲线提取的电学参数Tab.1 Electrical parameters extracted from bidirection transfer cha

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《使用Y函数方法提取MoS_2 FET双向扫描电学参数》

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采用相同的方法，对器件的反向扫描电学特性进行Y函数参数提取，提取结果与正向扫描电学特性不完全一致。为了综合比较该Mo S2FET正向扫描和反向扫描时，对应电学参数的差异，提取并统计了该器件的亚阈值斜率SS、跨导最大值gmax、跨导法载流子迁移率μg、Y函数法载流子迁移率μ0，以及由Y函数法推导出的源漏接触电阻Rcont、沟道电阻Rch等参数。如表1所示。