《表1 未修饰PVA和C-PMMA修饰的PVA绝缘层的表面和电学性能及相关的P3HT OFETs参数Tab.1 Surface and electrical properties of the bar

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《交联PMMA修饰的PVA绝缘层对P3HT有机场效应晶体管性能的影响》

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表中性能参数由15个器件统计得出

由上述两个公式计算出器件的相关性能参数，列于表1。导电沟道位于半导体层内靠近半导体层/绝缘层界面处。与PVA相比，C-PMMA的表面极性较弱，对在沟道内传输的载流子阻碍较小[15]。而且PVA中羟基是一种亲水基团，容易吸附空气中的水分子，在绝缘层表面形成陷阱，阻碍载流子输运。C-PMMA修饰PVA后，表面羟基数目大大减小，减少了由于吸水而形成的陷阱[7]。以上两种原因使得C-PMMA修饰的PVA器件的性能变好:栅压调控增强，饱和区更加清晰，迁移率变大。栅极施加电压后，产生的感生电荷填充陷阱后形成导电沟道，所以C-PM-MA修饰PVA的器件的阈值电压显著降低，约为0.4 V。同时，C-PMMA修饰PVA后，关态电流降低了近2个数量级，导致开关比变大，达到102数量级。