《表1 样品的结构参数：表面修饰MnMoO_4用于提高富锂锰基正极材料的电化学性能的研究》

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《表面修饰MnMoO_4用于提高富锂锰基正极材料的电化学性能的研究》

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进一步对材料的XRD图谱进行拟合计算，4种样品的晶胞参数如表1所示。由表1中数据可知，包覆处理后材料的c值和a值较原始材料均有一定程度的增大，且c/（3a）值也有明显的提高，其中M3的c、a值和c/（3a）值最大，表明M3具有更加良好的Li+扩散通道。同时，I(003）/I(104）表示材料的阳离子混排程度，由表1中数据可知，包覆材料的阳离子混排程度有了明显的改善。因此，MnMoO4表面修饰有利于改善材料的晶型结构，提高电化学性能。