《表2 CTS薄膜的电学性能参数Tab.2 Electrical parameters of the CTS thin film》

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《磁控溅射Sn和CuS靶制备铜锡硫薄膜电池》

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图7为CTS薄膜太阳电池在标准测试条件下的J-V特性曲线，其光电转换效率达到1.18%。相较很多文献报道的结果而言[36-38]，所制备的CTS薄膜太阳电池有较高的开路电压（Voc），为299 m V，开路电压较高的原因可能是Sn/CuS预制层制备的CTS薄膜表面致密平整，在沉积CdS时不易产生由于缓冲层覆盖不完全而导致最终薄膜电池漏电的情况，除此之外，CTS薄膜中的缺陷密度也相对较小，载流子产生复合的概率也相对降低，因此开路电压有了较大的提升。但是短路电流密度（Jsc）很低，为16.6 m A/cm2，填充因子（FF）也仅有0.24，与很多报道中的CTS薄膜电池相比（Jsc>30 m A/cm2，FF>0.4）还有很大差距。这可能是因为薄膜体内存在部分的横向晶界，导致材料体电阻的增加或所制备的窗口层方块电阻较高。再者，CTS薄膜与Mo之间存在阻碍空穴输运的空洞，从而使得整个薄膜太阳电池的串联电阻增加。因此，为了改善CTS薄膜太阳电池的光电转换效率，必须降低串联电阻，从而提高短路电流和填充因子，将来有必要进一步优化CTS薄膜和窗口层的制备工艺条件。