《表1 CTS薄膜的元素比例Tab.1 Composition of CTS thin film》

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《磁控溅射Sn和CuS靶制备铜锡硫薄膜电池》

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为了确定CTS薄膜的化学元素及比例，对其进行了EDS测定，测试结果如表1所示。可以看出设计值（Set-CTS）的金属比例（Cu/Sn）与实际测得的预制层（P-CTS）金属比例差距不大，经过570℃硫化后得到的CTS薄膜（S-CTS）Sn元素含量有所下降，导致Cu/Sn的比例增加。这可能是因为在经过高温硫化的过程中Sn元素与S发生反应生成易挥发的SnSx导致了Sn元素的损失。为了有效抑制Sn的损失，可以在硫化过程中加入少量的SnS或SnS2粉末；也可以采用快速升温硫化工艺，避免长时间硫化导致Sn元素的损失。总体上，所制备的CTS薄膜符合贫铜的化学配比，从XRD及Raman图谱上也可以判定所制备的CTS薄膜不含有Cu4Sn S4、SnSx等杂相，这也证实了该实验化学元素配比的合理性。