《表1 不同Ti N薄膜的工艺参数Tab.1 Process parameters of various Ti N thin films》

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《氮化钛薄膜二次电子发射特性研究》

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制备实验中，使用射频非平衡磁控溅射技术进行薄膜沉积，衬底为N型重掺杂的单晶硅片（晶向100，电阻率小于2×10-4?·m，是良好的导电衬底，形貌表征实验时使用）和实验专用白玻璃片（绝缘衬底，测试电阻率及SEY时使用）。所有衬底均使用丙酮、酒精、超纯水依次清洗以去除衬底表面可能存在的沾污物。实验使用的溅射源是纯度为99.99%的圆片状Ti N化合物靶材（直径76.2 mm，厚度5 mm）。实验前真空腔室气压被抽至低于3×10-4 Pa，以保证溅射过程尽可能不受其他残余气体的影响。在实验过程中引入高纯氩气（Ar，纯度99.99%）和高纯氮气（N2，纯度99.99%），分别用作工作气体（电离起辉）及反应气体（调整所淀积薄膜的氮元素含量）。溅射过程中，使用两路气体流量计控制腔室内氩气和氮气的分压。溅射过程中衬底未加热，溅射时间均为120 min，溅射时腔内气压控制在1.2Pa，其他详细实验参数见表1。