《表1 MoS2/Pb-Ti多层薄膜的沉积参数Tab.1 Deposition parameters of MoS2/Pb-Ti multilayer films》

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《MoS_2/Pb-Ti多层薄膜的结构和摩擦学性能》

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采用Teer UDP650磁控溅射系统制备MoS2/Pb-Ti多层薄膜，该系统配备有四个磁控溅射靶，如图1所示。沉积过程共使用两个MoS2靶（安装在相对的靶位）、一个Pb-Ti合金靶和一个Ti靶（安装在相对的靶位）。当薄膜中Pb:Ti的原子比约为2∶1时，MoS2基薄膜在真空和大气环境下均具有优良的摩擦学性能[14]，所以选用Pb:Ti原子比为1∶1的合金靶（经EDS分析，此时制备的薄膜中Pb∶Ti的原子比约为2∶1）。为了除去表面污染物，在沉积多层薄膜前将基底304不锈钢依次放入丙酮、无水乙醇中超声清洗15 min。沉积系统的本底真空为1.3×10-3 Pa，工作气体为Ar，工作压强为0.02 Pa。为了增强膜基结合力，预先沉积约200 nm厚的Ti中间层。多层薄膜的沉积方法采用文献[15]中描述的旋转模式，通过样品架在各个溅射靶之间的旋转来实现多层薄膜的构筑，转速为1 r/min，总沉积时间为2 h。Pb-Ti层厚度的选择参考文献[13]，同时随着MoS2靶电流的增加，MoS2层的厚度增加，具体的MoS2/Pb-Ti多层薄膜的沉积电流见表1。