《表1 Zn O薄膜的制备工艺参数Tab.1 Process parameters of Zn O films》

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《射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究》

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本实验采用射频反应磁控溅射法生长Zn O薄膜，衬底采用的是已制备了金电极的硅（100）衬底，靶材为纯度99.99%的金属锌靶（直径为101.6mm），金电极厚度为300nm。基片分别依次在丙酮、酒精、去离子水中超声清洗处理，去除衬底上的污染物，最后用干燥氮气吹干。抽真空至5.0×10-4Pa以下，再通入一定量的高纯氮气和氧气，调节溅射气压、氧氩体积流量比、衬底温度和溅射功率至设定值，待气压和衬底温度稳定后再进行溅射。溅射过程中，保持靶材和基片旋转以利于薄膜均匀性。具体工艺参数如表1所示。