《表1 Al2O3和HfO2薄膜原子层沉积工艺参数表Tab.1 Process parameters of Al2O3and HfO2thin film fabricated by atomic la

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《三维MIM电容器Al_2O_3/HfO_2异质层叠介质薄膜性能及影响》

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MIM电容器功能层结构设计为W+TiN（上电极）/Al2O3&HfO2&Al2O3/HfO2/Al2O3（介质层）/TiN+W（下电极），三种介质薄膜整体厚度均为10nm，其中，Al2O3/HfO2/Al2O3异质层叠薄膜厚度关系为1nm/8nm/1nm，如图1所示，介质薄膜间界面清晰，且具有良好的台阶覆盖性.以直径200mm、厚度750μm的硅晶圆为电容器支撑模板，采用干法深硅刻蚀技术制造高深宽比均匀深槽阵列结构；沿三维结构表面，采用原子层沉积技术依次生长电极层和介质层，其中，Al2O3和HfO2采用同一薄膜生长设备（TFS-200），前驱体分别为Al（CH3）3和HfCl4，反应气体均为H2O，净化气体为N2，具体薄膜沉积工艺参数如表1所示，对应不同的介质层Al2O3，HfO2和Al2O3/HfO2/Al2O3，最终形成三种片状薄膜电容器，分别标记为MC1、MC2和MC3.