《表1 CMP工艺参数Tab.1 Process parameters of the CMP》

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《阻挡层抛光液中助溶剂和H_2O_2对铜残留缺陷的影响》

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配制的阻挡层抛光液为碱性抛光液，其主要成分包括SiO2磨料（平均粒径为70 nm）、非离子型表面活性剂、FA/OⅠ型螯合剂。分别考察0.5，1.0，1.5，2.0和2.5 g/L的助溶剂对介质SiO2和铜去除速率的影响。在加入最优的助溶剂条件下，考察不同体积分数H2O2（0，0.01%，0.025%，0.05%，0.10%）对介质SiO2和铜去除速率的影响。最后，考察通过优化地添加了助溶剂和H2O2的FA/O阻挡层抛光液对精抛后的碟形坑和蚀坑的修正能力，以及用扫描电子显微镜考察铜残留的情况。抛光工艺参数见表1。去除速率测试点是在晶圆直径上取等距离分布的22个点测量其膜厚。采用EBARA公司研发的F-REX300X测量仪和Kokusai Electric Alpha公司生产的GTSR01型机台分别对直径300 mm的SiO2和铜镀膜片上各点抛光前和抛光后的薄膜厚度进行测量。