《表1 CMP抛光工艺参数》

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《添加剂对电诱导GaN晶片化学机械抛光的影响》

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采用UNIPOL-1200S型自动压力研磨抛光机（沈阳科晶自动化设备有限公司生产）对Ga N晶片进行化学机械抛光，抛光垫选用聚氨酯抛光垫（IC-1000）。抛光实验结束后，分别使用去胶清洗剂、丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗样品10～15 min，然后用氮气吹干，用于称量和表面质量检测。抛光工艺参数如表1所示。