《表1 传统CMP与精细雾化CMP的抛光效果对比》
由以上实验得出,当抛光液中SiO2的质量分数为5wt%,氧化剂H2O2的质量分数为1wt%,抛光液的pH值为8时,对氮化硅陶瓷进行超声精细雾化抛光效果最好。在除抛光液流量外的相同抛光参数下,传统CMP与精细雾化CMP的抛光效果对比如表1所示。图5为抛光前后氮化硅陶瓷的表面形貌图。
图表编号 | XD0010559200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.04.20 |
作者 | 李庆忠、高渊魁、朱强 |
绘制单位 | 江南大学机械工程学院、江南大学机械工程学院、江南大学机械工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |