《表2 阻挡层CMP对碟形坑和蚀坑的修正Tab.2 Corrections of dishing and erosion on the barrier CMP》

《表2 阻挡层CMP对碟形坑和蚀坑的修正Tab.2 Corrections of dishing and erosion on the barrier CMP》   提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《阻挡层抛光液中助溶剂和H_2O_2对铜残留缺陷的影响》


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FA/O阻挡层抛光液中加入质量浓度1.5 g/L的助溶剂和体积分数为0.05%的H2O2，考察其对碟形坑和蚀坑深度的修正能力，结果见表2，表中db为抛光前深度，da为抛光后深度，Δd为深度变化量。

图表编号XD001101400    严禁用于非法目的
绘制时间2018.11.03
作者胡轶、张凯、何彦刚、刘玉岭
绘制单位新疆师范大学化学化工学院、河北工业大学微电子研究所、河北工业大学微电子研究所、河北工业大学微电子研究所
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