《表1 CMP工艺参数Tab.1 Process parameters of the CMP》
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《GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制》
本文所采用的CMP工艺参数如表1所示,AMAT-LKCMP型抛光机中抛头工作压力分为5个区域,分别为Z1/Z2/Z3/Z4/Z5。
图表编号 | XD00188438300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.11.03 |
作者 | 马腾达、刘玉岭、杨盛华、徐奕、考政晓 |
绘制单位 | 河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室 |
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