《表1 样品A, B, C和D中V形坑的平均直径、平均深度和平均密度Tab.1 Average diameter, depth and density of V-pit of sample A, B,

《表1 样品A, B, C和D中V形坑的平均直径、平均深度和平均密度Tab.1 Average diameter, depth and density of V-pit of sample A, B,   提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响》


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根据SEM结果，分别统计了不同样品表面的V形坑直径（d）和深度（h），并计算了每个样品表面的V形坑的平均直径（珔d）、平均深度（珔h）以及平均密度（ρ珋），结果见表1。

图表编号XD001099200    严禁用于非法目的
绘制时间2018.09.03
作者李婷婷、周玉春、杨路华、李晓波、王静辉
绘制单位同辉电子科技股份有限公司、内蒙古自治区电子信息产品质量检验院、西安中为光电科技有限公司、同辉电子科技股份有限公司、同辉电子科技股份有限公司
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