《表2 样品A、B、C、D的晶粒尺寸Tab.2 Grain size of sample A, B, C and D nm》

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《电子束退火法制备Li-N共掺杂多晶ZnO薄膜》

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根据图2中4个样品的XRD谱图，采用Scherrer方程[24]计算薄膜的平均晶粒尺寸，其公式如下:d=0.89λ/Bcosθ。式中d是晶粒的平均尺寸（单位nm），λ是X射线衍射的波长（Cu Kα:0.154 nm），B是衍射峰半高宽度（单位rad），θ是布拉格衍射角（单位°）。通过计算得到样品沿不同晶向的平均晶粒尺寸，如表2所示。总体来看，样品沿不同晶向的平均晶粒尺寸随着束流的增加而增大，但当束流高于1.5 mA之后，平均晶粒尺寸变化不大。样品A、B、C中六角Zn O沿（002）晶向的晶粒尺寸较大，样品D略有不同，六角Zn O沿（103）晶向的晶粒尺寸较大，说明更高退火温度使得（103）晶向的晶粒易于长大。