《表2 工艺参数：单晶碳化硅的电磁场励磁大抛光模磁流变抛光》

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《单晶碳化硅的电磁场励磁大抛光模磁流变抛光》

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为了探究工艺参数对工件抛光效果的影响，选取电流强度、工作间隙、抛光时间三组主要因素进行抛光试验，各组工艺参数见表2。第1组试验是研究电流强度对抛光效果的影响，在工作间隙为1.4 mm、抛光时间为60 min的条件下，对单晶碳化硅采用不同的电流强度进行加工。第2组试验是研究工作间隙对抛光效果的影响，在电流强度为12 A、抛光时间为60 min的条件下，对单晶碳化硅采用不同的工作间隙进行加工。第3组试验是探究抛光时间对抛光效果的影响，在电流强度为12 A、工作间隙为1.4 mm的条件下，对单晶碳化硅采用不同的抛光时间进行加工。