《表2 不同光照方式下的抛光工艺参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《紫外光催化辅助SiC抛光过程中化学反应速率的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为了探究紫外光及其照射方式对单晶SiC抛光的作用，采用无光照、光照抛光盘（图2a）、光照抛光液（图2b）等3种光照方式，对SiC晶片进行抛光实验。在光照抛光盘方式抛光中，蠕动泵将抛光液喷射到旋转的抛光盘上，紫外光直接照射抛光盘表面并和其上的抛光液发生光催化反应。在光照抛光液方式中，紫外光直接照射装有抛光液的容器并发生光催化反应，再用蠕动泵将抛光液输送到抛光盘进行抛光。从理论上讲，采用光照抛光液的方式，抛光液发生光催化的时间要比光照抛光盘时长许多，因此光催化反应效果应该会好很多。同时，由于磨料粒径会影响抛光时工件表面的压入深度和单次切削量，为探究磨料粒径的影响规律，在不同光照方式下，使用4种不同粒径的金刚石磨料对SiC抛光，抛光时间为30 min，具体抛光工艺参数如表2所示。