《表1 不同生长温度的Zn O纳米结构Hall测试结果Tab.1 Hall measurems of Zn O nanostructures grown for va-rious growth tem

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《生长温度对MOCVD外延Zn O纳米结构的影响》

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为了探究不同生长温度对ZnO纳米结构的电学性质的影响，我们对S1~S5样品进行了光刻腐蚀，测试了霍尔效应。从表1中可以清楚地看出，所有ZnO纳米结构样品导电类型均为N型，载流子浓度均在1017cm-3量级。S5样品，其霍尔迁移率高达23.5 cm2/（V·s）；S3样品霍尔迁移率最低，为2.69 cm2/（V·s）。究其原因，S5样品呈现二维生长的趋势，载流子在横向传输时，柱间晶界少，所以对应的霍尔迁移率最高；而其他样品都呈现三维纳米柱生长，因此存在大量的晶界效应，晶界效应严重阻碍了电荷的横向输运，导致这几批次样品霍尔迁移率都不如S5样品高。其中S3样品由于其纳米柱密度最大，直径最小，晶界更多，所以其霍尔迁移率最低。