《表1 3个系列实验的溅射条件Tab.1 Sputtering conditions of three series experiments》

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《玉米蛋白质基底上射频磁控溅射法制备Zn O薄膜》

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实验采用Kurt J.Lesker公司的PVD75型高真空磁控溅射设备在玉米蛋白质膜上制备ZnO薄膜，进行溅射前，先将真空室本底真空度抽至1.33×10-4Pa，然后向真空室通入氩气，将Zn O靶材预溅射10 min以清除表面上的杂质，预溅射功率为50 W，溅射压强为2.67 Pa。溅射Zn O薄膜时，压强保持在1.07 Pa，玉米蛋白质薄膜的温度控制在90℃。详细的实验参数如表1所示，在第一系列实验中，溅射功率保持在50 W不变，而氩气与氧气的比例Ar/（Ar+O2）为0.9，靶基距为7~20 cm；在第二系列实验中，溅射功率保持在50 W不变，靶基距为10 cm，而氩气与氧气的比例Ar/（Ar+O2）为0.5~1.0；在第三系列实验中，氩气与氧气的比例Ar/（Ar+O2）保持在0.7，靶基距为10 cm，而溅射功率为50~300 W。