《表1 离子束溅射Si薄膜的工艺参数Tab.1 Processing parameters for preparing Si film by ion beam sputtering》

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《离子束溅射宽带吸收薄膜设计与制备技术研究》

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离子束溅射沉积Si薄膜工作示意图如图1所示。离子束溅射沉积系统中采用了1个16 cm离子源和1个12 cm的离子源。16 cm离子源的束压可以在600～1 500 V间可调，16 cm离子源的束流可以在600～1 200 mA间可调。石英加热灯可以从室温加热到250°。氮气和氧气可选择通入到Si靶表面，氮气纯度大于99.995%，氧气纯度大于99.999%，Si靶的尺寸为340 mm，纯度为99.99%。文中研究真空室靶表面不通入气体、通入2 sccm的N2和通入2 sccm的O2三种工艺参数，采用离子束溅射沉积技术，在熔融石英基底上沉积了Si薄膜，沉积时间545 s，沉积厚度大约150 nm，具体制备工艺参数如表1所示。