《表1 Al/Mo O3含能复合薄膜的制备参数Tab.1 Preparation parameters of Al/Mo O3 RMFs》

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《不同调制比的Al/MoO_3含能半导体桥电爆特性研究》

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调制比的定义为一个调制周期的铝和氧化钼的实际膜厚比，由所需反应当量比（Φ）、各组分摩尔质量（Al:26.98g/mol，Mo O3:143.9g/mol）及密度（Al:2.700g/cm3，Mo O3:4.692 g/cm3）计算得到。利用磁控溅射技术在半导体桥上溅射沉积3种调制比的Al/Mo O3 RMFs，薄膜的总厚度和调制周期一定。具体参数如表1所示。