《表1 采用不同厚度Mo O3的太阳能电池的性能参数Tab.1 Performance parameters of the solar cells with differ-ent Mo O3thick
为了研究不同厚度的Mo O3对电池性能的影响,在ITO基底上用热蒸发法沉积不同厚度的Mo O3薄膜作为阳极界面修饰层,实验研究了1,2,5,10 nm这几个不同的厚度。图2为采用不同厚度Mo O3器件的平均J-V曲线,每条曲线均由8个器件平均得到。表1给出了器件具体性能参数。从表1中可以看出,当蒸镀的Mo O3厚度为1nm时,器件的平均性能最佳,Jsc为17.96 m A/cm2,Voc为0.78 V,FF高达0.7,器件的平均光电转换效率(PCE)为9.96%。而蒸镀2 nm厚度的Mo O3相比1 nm的厚度,两者制备的器件的FF和Voc基本接近一致,但是Jsc由17.96 m A/cm2减小为14.43 m A/cm2,所得器件平均PCE为7.68%,与标准PEDOT∶PSS对照器件取得的效率(7.38%)接近。当Mo O3薄膜的厚度增大到5 nm时,器件的FF减小为0.38。Mo O3的厚度继续增大为10nm,电池各方面性能参数急剧下降,制备的电池光电转换效率已经趋近为0。随着Mo O3的厚度的增加,FF和Jsc下降,表明器件的电荷传输效率下降,电子与空穴复合加剧。实验表明将Mo O3作为钙钛矿太阳能电池的阳极界面修饰层时,器件性能对Mo O3薄膜的厚度较为敏感。
图表编号 | XD0017624100 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.03.01 |
作者 | 王俊、禹豪、张继华、张小文、王红航、易子川、刘黎明 |
绘制单位 | 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |