《表1 溶液法制备氧化物TFT的主要性能参数Tab.1 Main performance parameters of the metal-oxide TFT prepared by solution

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《溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展》

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1) 4∶1为W与L的比值；2) P∶P为PEDOT∶PSS；3) PET为聚对苯二甲酸乙二醇酯。

为了更直观地呈现溶液法制备MOTFT电学性能的差异性，方便读者比较，表1汇总了采用不同溶液法制备的典型MOTFT的主要性能参数。从表1中可看出，在迁移率方面，采用旋涂法和喷墨打印制备的器件相对较高，普遍接近或者大于10 cm2·V-1·s-1，其中Zn O TFT[26]，ZTO TFT[41]和IZTO TFT[21，56]迁移率的最高值均超过100 cm2·V-1·s-1，其次为喷雾法，而丝网印刷的迁移率则最低；在阈值电压方面，旋涂的阈值电压大部分可控制在3 V以内，而EHD喷印的阈值电压相对较高；在亚阈值摆幅方面，大部分方法所制备器件的亚阈值摆幅都比较低，其中旋涂与喷墨打印表现得更为出色，旋涂法甚至达到了0.08 V/dec；在开关电流比方面，大都在5~6数量级范围，文献[53]报道的开关电流比数值为108，而文献[8]中的约为102。总体而言，在众多的溶液法中，旋涂法和喷墨打印采用最为广泛，所制备出的MOTFT器件的整体性能相对较优。