《表2 柔性STO-TFT性能参数随弯曲程度变化Tab.2Performance parameters of flexible STO-TFT vary with the degree of bend
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将制备的300℃退火柔性STO-TFT分别置于曲率半径为5，10，20，30 mm的条件下工作并测试其电学性能，其中该柔性STO-TFT在曲率为10 mm弯曲状态下测试的实物图如图6所示，所测转移特性曲线如图7所示。由实验结果可知，该柔性STO-TFT弯曲在曲率半径为5，10，20，30mm的条件下进行电学性能测试，其转移特性曲线与未弯曲的相比变化差别不大。通过计算相关电学参数如表2所示，可得在不同曲率半径弯曲下工作器件载流子迁移率维持在2.6~2.9 cm2·V-1·s-1之间，亚阈值摆幅也在1.6~2.0 V·dec-1之间浮动，开态电流大小变化不大并都能够超过10-4A数量级，该柔性STO-TFT器件弯曲后，关态漏电流和阈值电压与未弯曲相比有明显增加。根据漏态电流Ioff的公式[20]:
| 图表编号 | XD0017631400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2018.07.01 |
| 作者 | 张建东、刘贤哲、张啸尘、李晓庆、王磊、姚日晖、宁洪龙、彭俊彪 |
| 绘制单位 | 华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实 |
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